特許

J-GLOBAL ID：200903079145283990

制御電源保障型過電流保護回路

発明者： 加藤 忍
出願人/特許権者： 株式会社クラウン電装
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226793
公開番号（公開出願番号）：特開2001-025151
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 過電流から保護しようとする電路に直列に挿入するだけの2点接続型の過電流保護回路において過電流発生時に電流制限用半導体素子の過熱破壊を防ぐ制御の付加と、設定電流以下の定常電流域において回路内部での電圧損失を従来の回路より低くすること。【解決手段】 過電流状態は電流検出抵抗で検出しトランジスター2の作動によりパワーMOS FET1のゲート電圧を下げる。それにより上昇したドレイン、ソース間の電圧を電源及び検出電圧としてシュミットトリガー回路8を作動させゲート電圧を瞬時に下げ、パワーMOS FET1をOFF状態に移行させる。次にそのOFF状態をシュミットトリガー回路10で検出して、設定時間後にパワーMOS FET1のOFF状態のリセット信号を発生させる。過電流として設定した電流以下での定常電流領域では、パワーMOS FETのゲート駆動電圧は、この過電流保護回路の電圧損失となるA,B間の1V未満の電圧を非安定マルチバイブレーターとトランスを利用した昇圧回路を利用して発生させる。

請求項（抜粋）：

過電流から配線や負荷を保護するため、電路へ直列に挿入し、2箇所のみで接続される低発熱型の過電流保護回路で、その制御のための電源はこの回路内で発生する電圧損失を利用し、従来のように制御電源を確保するために3カ所目への結線を必要としない。

IPC (3件)：

H02H 3/08 ,  H02H 3/06 ,  H02H 7/20

FI (3件)：

H02H 3/08 T ,  H02H 3/06 A ,  H02H 7/20 F

Fターム (17件)：

5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA03 ,  5G004BA04 ,  5G004CA03 ,  5G004DA02 ,  5G004DB04 ,  5G004DC04 ,  5G004EA01 ,  5G004FA01 ,  5G053AA01 ,  5G053AA02 ,  5G053BA01 ,  5G053CA02 ,  5G053EB02 ,  5G053EC03 ,  5G053FA05