特許

J-GLOBAL ID：200903079146580670

薄膜トランジスタ

発明者： 井上 聡
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-169643
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021796
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 コンタクト不良や工程数の増大、或はゲート絶縁膜の耐圧不良を引き起こす事なくチャネル部、或はゲート電極を構成するシリコン薄膜の膜厚を薄し、これにより、オン電流が大きくオフ電流の小さな特性、言い替えるとオン/オフ比Ion/Ioffの大きな特性を持つ、優れたTFTを提供する。【構成】 コンタクト・ホール開口後、アルミニウムとシリコンの反応を防ぐ様な導電体膜、いわゆるバリアメタルを形成する。

請求項（抜粋）：

ドナー或はアクセプタとなる不純物を添加したシリコン薄膜からなるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間に前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接して形成されたシリコン薄膜からなるチャネル領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とチャネル領域を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記ドレイン領域に接続されたドレイン配線と、前記ゲート電極に接続されたゲート配線を具備した薄膜トランジスタに於て、前記ソース配線、前記ドレイン配線、前記ゲート配線の内、少なくともどれかがバリアメタルとアルミニウムからなる多層構造になっている事を特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-031041
  
• 特開昭63-200571