特許
J-GLOBAL ID：200903079152632313
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299447
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151464
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】周波数分散、ドリフト等の異常現象がない良好なGaAs MESFETを提供すること。【構成】n形動作層4を有するGaAs MESFETのソース・ゲート電極間及びゲート・ドレイン電極間の前記n形動作層4上の一部または全部に空乏化したP形GaAs層7を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
n形GaAs動作層上にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を具備したGaAs電界効果トランジスタにおいて、前記n形GaAs動作層上のソース・ゲート電極間およびゲート・ドレイン電極間の一部または全部に空乏化したp形GaAs層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
