特許

J-GLOBAL ID：200903079156527760

光センサ

発明者： 増田 敏
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  井上 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-049621
公開番号（公開出願番号）：特開2009-207062
出願日： 2008年02月29日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

【課題】光電変換素子での画素出力信号の蓄積時間(露光時間)の短縮化を図ることができる光センサを提供する。【解決手段】行状のゲート線GL1〜GL3と、列状の信号線SL1〜SL3と、ゲート線GL1〜GL3と信号線SL1〜SL3の各交差部に配置された行列状の画素P11〜P33と、画素P11〜P33内のTFT2を制御するためのゲート信号G1〜G3をゲート線GL1〜GL3に出力する垂直走査回路11とを備えるアクティブマトリックス型の光センサであって、垂直走査回路11が、複数行の画素内のTFT2を、1水平走査期間内に行毎に異なるタイミングで制御可能であることを特徴とする光センサ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

行状の複数のゲート線と、列状の複数の信号線と、前記ゲート線と前記信号線の各交差部に配置された行列状の複数の画素と、前記画素内の能動素子を制御するためのゲート信号を前記ゲート線に出力する垂直走査回路とを備えるアクティブマトリックス型の光センサであって、 前記垂直走査回路が、複数行の前記画素内の能動素子を、1水平走査期間内に行毎に異なるタイミングで制御可能であることを特徴とする光センサ。

IPC (2件)：

H04N 1/028 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H04N1/028 Z ,  H01L27/14 C

Fターム (20件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB05 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118DB09 ,  4M118DD09 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA04 ,  5C051AA01 ,  5C051BA04 ,  5C051DA06 ,  5C051DB01 ,  5C051DB08 ,  5C051DC02 ,  5C051DC03 ,  5C051DC07 ,  5C051DE02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• CMOSセンサ・アレイの露光を制御する方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-516530   出願人：インテル・コーポレーション
• 光電変換素子および放射線画像検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-256734   出願人：コニカミノルタエムジー株式会社