特許

J-GLOBAL ID：200903079159153348

スパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体の製造方法

発明者： 高梨 昌二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111090
公開番号（公開出願番号）：特開平10-297964
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】 異常放電の発生がなく、安定して、特性の優れたZnO-Ga2O3系膜を成膜することができるスパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体を、安い製造コストで、かつ大型のものも含めて製造することができる方法を提供する。【解決手段】 酸化亜鉛粉末に酸化ガリウム粉末を添加して混合し、混合粉末を成形し、成形物を常圧で焼結する方法において、(1)平均粒径が1μm以下の該酸化亜鉛粉末と、平均粒径が1μm以下の該酸化ガリウム粉末とを用い、(2)該成形を冷間で行い、(3)焼結温度を1300〜1550°Cとし、酸素を導入しながら該焼結を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛粉末に酸化ガリウム粉末を添加して混合し、混合粉末を成形し、成形物を常圧で焼結する方法において、(1)平均粒径が1μm以下の該酸化亜鉛粉末と、平均粒径が1μm以下の該酸化ガリウム粉末とを用い、(2)該成形を冷間で行い、(3)焼結温度を1300〜1550°Cとし、酸素を導入しながら該焼結を行うことを特徴とするスパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体の製造方法。

IPC (5件)：

C04B 35/453 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 3/12 325 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

C04B 35/00 P ,  C23C 14/08 C ,  C23C 14/34 A ,  H01B 3/12 325 ,  H01B 13/00 503 B