特許

J-GLOBAL ID：200903079161021025

半導体レーザ素子

発明者： 舟橋 政樹 ,  谷津 亮介 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043208
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320125
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 ファブリペローモードの発振を抑制し大きな副モード抑圧比(SMSR)を示す半導体レーザ、及び接合係数の均一性が良好で、製品歩留まりの高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 本DFBレーザ10は、発振波長が1550nmの埋め込みへテロ型であって、InP基板12上に、InPバッファ層14、活性層16、膜厚200nmのInPスペーサ層18、周期が240nmであって、膜厚20nmのGaInAsP層からなる回折格子20、及び回折格子を埋め込んだInP第1クラッド層22の積層構造を備える。活性層の光利得分布のピーク波長λmaxは約1530nm、回折格子のバンドギャップ波長は約1510nmである。積層構造はメサストライプにエッチング加工され、その両側にはpn分離の電流狭窄領域が形成されている。λg が約1510nmのGaInAsPで回折格子を形成することにより、発振波長の1550nm付近の波長に対しては、殆ど吸収が起らない。活性層の光利得分布のピーク波長に対する吸収係数が、発振波長に対する吸収係数よりも大きい。

請求項（抜粋）：

活性層の光利得分布とは独立に発振波長λe を選択できる波長選択構造を共振器構造内の活性層の近傍に備えた、半導体レーザ素子において、活性層の光利得分布のピーク波長λmax に対する吸収係数αmax が発振波長λe に対する吸収係数αe よりも大きくなる化合物半導体層で形成された吸収領域が、共振器構造内に設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (9件)：

5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA03 ,  5F073EA15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-249974   出願人：松下電器産業株式会社