特許

J-GLOBAL ID：200903079161678024

強誘電体メモリ素子

発明者： 宮澤 弘 ,  樋口 天光 ,  岩下 節也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-173247
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011931
出願日： 2003年06月18日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】高性能でPbを含有せず、しかもSi基板上への直接的な実装を可能にした、強誘電体メモリ素子を提供する。【解決手段】Si酸化膜上に成膜されたペロブスカイト型の電極4上に、テトラゴナル構造で(001)配向のBiFeO3からなる強誘電体層5を有してなる強誘電体メモリ素子1。ペロブスカイト型の電極4は、イオンビームアシスト法によって成膜されていてもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si酸化膜上に成膜されたペロブスカイト型の電極上に、テトラゴナル構造で(001)配向のBiFeO3からなる強誘電体層を有してなることを特徴とする強誘電体メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  C23C14/08 ,  C23C14/22

FI (4件)：

H01L27/10 444C ,  C23C14/08 K ,  C23C14/22 F ,  H01L27/10 444B

Fターム (12件)：

4K029BA50 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA09 ,  5F083FR02 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 強誘電体薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172020   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 積層薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-062864   出願人：ティーディーケイ株式会社