特許

J-GLOBAL ID：200903079167122397

プラズマ処理装置および方法

発明者： 松田 出 ,  原口 秀夫 ,  松井 卓也 ,  山本 重之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046246
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243822
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子、液晶ディスプレイパネルや太陽電池等の製造における薄膜形成工程、あるいは微細加工工程等に用いられるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法において、被処理基板を基板保持台へ静電吸着する際のダスト発生を低減する。また静電吸着を止めた際の残留吸着を解消し、搬送トラブル、発塵やデバイスダメージによる製品不良を無くすることを目的とする。【解決手段】 基板保持台3の基板2との設置面積が5%から15%で形成され、また基板外周縁部に極めて小面積の帯状の設置面が2本以上形成されている、さらに、基板と接触する縁部3Eがなだらかな曲面形状となっている。

請求項（抜粋）：

排気装置を有する真空容器内に設けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を接触させて保持される基板をプラズマ処理する装置であって、基板の設置面の面積が基板平面面積に対し、5%以上15%以下となるよう基板保持台の基板設置面に凹部が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H02N 13/00 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/68 R ,  C23F 4/00 A ,  H02N 13/00 D ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 C

Fターム (25件)：

4K057DA11 ,  4K057DB06 ,  4K057DD03 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM35 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BB20 ,  5F004BD03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F031CA02 ,  5F031HA05 ,  5F031HA07 ,  5F031HA19 ,  5F031MA32 ,  5F031NA05 ,  5F031PA18 ,  5F031PA26 ,  5F031PA30

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 静電吸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-006170   出願人：株式会社日立製作所
• 静電吸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-233770   出願人：富士通株式会社