特許

J-GLOBAL ID：200903079169663360

逆T形トランジスタの改良された製造方法

発明者： ボン・ゼ・リ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-034267
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316478
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【課題】 製造工程を単純化させることができ、且つ容易に行うことができる逆T形トランジスタの改良された製造方法を提供すること。【解決手段】 第1導電型半導体基板上に第1絶縁膜と第2絶縁膜を順次形成して、これらに逆T形のホールを形成する。そのホール内に導電体を詰め込んで逆T形ゲート電極を形成する。ゲート電極を形成させたあと高濃度の第2導電型不純物イオンを注入する。逆T形ゲートの両翼の下側では低濃度に、ゲート電極により覆われない部分では高濃度に不純物領域が自動的に形成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に第1絶縁膜と第2絶縁膜を順次形成するステップと、第2絶縁膜の一部分と第1絶縁膜の一部分を順次的に除去して、これらに逆T形のホールを形成するステップと、前記ホール内に導電体を詰め込んで逆T形ゲート電極を形成するステップと、残存する第1絶縁膜と第2絶縁膜を除去するステップと、高濃度の第2導電型不純物イオンを注入して逆T形ゲートの両翼の下側に該当する基板内に低濃度不純物領域を形成するとともに、ゲート電極により覆われない基板内に高濃度不純物領域を形成するステップと、を具備することを特徴とする逆T形トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-188924
  
• 特開平4-112545
  
• 特開平4-093080
  
• 特開平4-137735