可変抵抗薄膜素子およびそれを用いた不揮発性記憶素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-004776
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196566
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【課題】電源パルスにより抵抗変化が発生する可変抵抗素子およびこれを用いた素子電源を切っても記憶情報が消えない不揮発性の記憶素子に関し、可変抵抗材料であるペロブスカイト酸化物を、菱面体晶であり六方晶表記で(001)面に優先配向させることにより、可変抵抗素子の特性ばらつきを低減するとともに、信頼性を向上させる。【解決手段】第1電極膜14上に可変抵抗層15を設け、可変抵抗層15上に第2電極16が形成する。可変抵抗層15は菱面体晶であるペロブスカイト型酸化物であり、かつ六方晶表記で(001)面方向に優先配向している。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

電圧パルスの印加に応じてその電気抵抗値が変化する薄膜材料(可変抵抗材料)を用いた可変抵抗薄膜素子であって、成膜基板上に第1電極膜が形成され、前記第1電極膜上に可変抵抗層が形成されており、前記可変抵抗層上に第2電極が形成された可変抵抗薄膜素子において、前記可変抵抗層は菱面体晶の結晶構造を持つペロブスカイト型酸化物であることを特徴とする可変抵抗薄膜素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 , C23C 14/08 , C23C 14/34

FI (3件)：

H01L27/10 451 , C23C14/08 K , C23C14/34 A

Fターム (9件)：

4K029BA50 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (4件)

電気的消去可能型相転移メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006940 出願人：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド
米国特許第6204139号明細書
特許第3030333号公報

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