半導体ウエハーをパッシベーション化する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：湯浅恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228790
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198572
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【構成】 a)金属層を施しパターン化して、ウエハーから所与長さで外側に突出する導電性金属ランナー64を形成する工程;b)最も突出する金属ランナーの所与長さよりも大なる厚みで、そのウエハー上に絶縁性誘電層66を施す工程;c)下部の導電性金属ランナーより高いウエハー上の点まで、好ましくは化学機械研磨により絶縁性誘電層の全体を平坦にする工程;及びd)機械的保護、化学的拡散のバリヤー及び水分バリヤーとして効果的な材料の平らな層70を全体的に平坦化された絶縁性誘電層上に施す工程;を包含する半導体ウエハーの外側部分をパッシベーション化する方法。【効果】急勾配の隅部の形成を阻止する。

請求項（抜粋）：

金属層を施しパターン化して、ウエハーから所与長さで外側に突出する導電性金属ランナーをウエハー上に形成する工程;最も突出する金属ランナーの所与長さよりも大なる厚みで、絶縁性誘電層をウエハー上に形成する工程;下部の導電性金属ランナーより高いウエハー上の点まで、該絶縁性誘電層の全体を平坦にする工程;及び機械的保護、化学的拡散のバリヤー及び水分バリヤーに効果的な材料の平らな層を全体的に平坦化された絶縁性誘電層上に施す工程;を包含する半導体ウエハーの外側部分をパッシベーション化する方法。

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭62-177927
特開昭58-164244
特開平2-197128

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