特許

J-GLOBAL ID：200903079178731093

赤外線検出器及び赤外線検出器アレイ

発明者： 小笹山 泰浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163829
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353799
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 検出感度を損なうことなく、検出部の飽和電荷量を制御することができる赤外線検出器を提供する。【解決手段】 表面に光吸収膜8が形成され赤外線が透過することができる半導体基板7と、光吸収膜8上に絶縁膜9を介して形成された導電性の反射膜10とを備える赤外線検出器21に、反射膜10上に第2の絶縁膜16を介して導電膜15を形成し、光吸収膜8および反射膜10で挟まれた絶縁膜9とは別個に、反射膜10と導電膜15とに挟まれる第2の絶縁膜16からなる新たな容量部を形成し、検出感度を損なうことなく、全体として検出部の飽和電荷量を制御することができるようにした。

請求項（抜粋）：

赤外線が透過する半導体基板と、上記半導体基板の赤外線入射側とは反対側の表面に形成され、赤外線を吸収して光電変換する光吸収膜と、上記光吸収膜を透過した赤外線を反射して上記光吸収膜に再度入射させる反射膜と、上記光吸収膜と上記反射膜との間に形成され、光電変換された信号電荷を蓄積するための絶縁膜とで構成される赤外線検出部を有し、上記半導体基板の裏面から入射した赤外線を上記光吸収膜で光電変換して検出する赤外線検出器であって、上記反射膜上に形成された第2の絶縁膜とそれを覆う導電膜とからなる第2の電荷蓄積手段を設けてなることを特徴とする赤外線検出器。

IPC (5件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/872 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 27/14 K ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/48 F ,  H01L 31/10 A

Fターム (40件)：

4M104AA01 ,  4M104BB22 ,  4M104CC03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE08 ,  4M104FF35 ,  4M104GG05 ,  4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA06 ,  4M118CA17 ,  4M118CB14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GA08 ,  4M118GB03 ,  4M118GB06 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GB17 ,  5F038AC02 ,  5F038CA05 ,  5F038CD04 ,  5F038CD14 ,  5F049MA05 ,  5F049MB02 ,  5F049NA16 ,  5F049NB05 ,  5F049QA13 ,  5F049RA03 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ16 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA01