特許
J-GLOBAL ID：200903079178922859
磁気抵抗記憶素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395072
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280526
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 電流駆動のデバイスである磁気抵抗記憶素子では、パルス波形が乱れると動作が不安定になる。このため、磁界を印加するための配線のインピーダンス不整合は、高速動作を困難とする。さらに、上記素子では、集積度の向上に伴って、磁気クロストークも生じやすくなる。【解決手段】 本発明は、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子に磁界を印加するための配線とを含み、この配線が、同一方向に伸長する2以上の導電線を含む磁気抵抗記憶素子を提供する。本発明によれば、1つの素子に複線路の導電線を用いて磁界を印加することにより、高速の応答および磁気クロストークの抑制が可能となる。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に磁界を印加するための配線とを含み、前記配線が、同一方向に伸長する2以上の導電線を含む磁気抵抗記憶素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083BS13
, 5F083BS37
, 5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA60
, 5F083KA01
