特許
J-GLOBAL ID：200903079179029210
ガスクラスターイオンビーム形成用イオン化装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣江 武典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-543755
公開番号（公開出願番号）：特表2003-520393
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2003年07月02日
要約：
【要約】実質的には円筒形状中性ビームの電子衝撃イオン化用中性ビームイオン化装置である。その装置には、電子源および磁場からは実質的に遊離している環状円筒形状イオン化領域が含まれる。本発明の1つの実施態様では、そのビームはガスクラスタービームであり、またその電子源には、熱電子を放出するための加熱フィラメントが含まれており、そのフィラメントには、フィラメント加熱電流による磁場を最小限にするように、自己無効化磁場を作り出すために形成された1つあるいはそれ以上の方向反転装置が含まれる。そのフィラメントはそのシリンダーの周囲に二本巻き、多数本巻き、あるいは非誘導性に巻くことができる。本発明のもう1つの実施態様では、実質的に円筒形状中性ビームの電子衝撃イオン化用中性ビームイオン化装置には、少なくとも1つの電子源と、楕円形円筒形状イオン化領域が含まれる。1つの実施態様では、楕円形円筒形状イオン化領域には、イオン化されるビーム軸により繰り返し軌道を描いて回るように少なくとも1つの電子源から電子が放出されるようバイアス電圧をかけた一対の共焦点楕円形円筒形状電極が含まれる。
請求項（抜粋）：
実質的に円筒形状中性ビームの電子衝撃イオン化用中性ビームイオン化装置であって、 電子源と、 磁場からは実質的に遊離している環状楕円形状イオン化領域と、から成る前記装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
5C030DD04
, 5C030DE02
, 5C030DG03
, 5C030DG07
