特許

J-GLOBAL ID：200903079180647946

堆積膜形成装置および堆積膜形成方法

発明者： 矢島 孝博 ,  宍戸 健志 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-023702
公開番号（公開出願番号）：特開2001-288575
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 真空室内で基礎部材の上に配置された電力印加電極と基礎部材との間にプラズマが回り込んだり、異常放電が発生したりすることのない堆積膜形成装置を実現する。【解決手段】 真空室の内部には、基礎部材102の上に配置された電力印加電極101が収容され、電力印加電極101に対向して電極を兼ねる基板が真空室内に導入される。電力印加電極101の端部が絶縁性の締め付け部材103によって基礎部材102側に押し付けられると共に、電力印加電極101と基礎部材102との間に絶縁性のスペーサー104が挟まれている。これにより、基礎部材102に対する電力印加電極101の絶縁性が保たれつつ基礎部材102に電力印加電極101が固定され、電力印加電極101の変形が防止される。その結果、電力印加電極101と基礎部材102との間におけるプラズマの回り込みや異常放電の発生が抑制される。

請求項（抜粋）：

真空室内で、接地された平板型の基礎部材の上に配置された電力印加電極と、該電力印加電極に電力を印加する電源とを有し、前記真空室内で前記電力印加電極に対向して配置されて前記電力印加電極と対をなす電極を兼ねる基板と前記電力印加電極との間の放電空間にプラズマが発生するように、前記電源により前記電力印加電極に電力を印加することで、前記真空室内に導入された原料ガスを分解し、前記基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記基礎部材に対する前記電力印加電極の絶縁性を保ちつつ前記基礎部材に前記電力印加電極が固定されていることを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (4件)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 非単結晶半導体薄膜の形成装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-063743   出願人：キヤノン株式会社