特許

J-GLOBAL ID：200903079182030911

気相成長装置用サセプタ

発明者： 辛 平 ,  林 健郎 ,  高村 勝之
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  徳山セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226679
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058040
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハの変形を少なくし、均一に加熱することができる気相成長装置用サセプタを提供することを目的とする。【構成】 半導体ウエハ22の平面部を支持する円形座ぐり部21を有する気相成長装置用サセプタ20において、前記円形座ぐり部21に同心する一つの円環状凸部30を有し、前記円環状凸部30の中心線が、前記座ぐり部21半径の65〜75%の範囲に位置し、かつ前記円環状凸部30の内側及び外側に断面凹状部が形成され、前記外側凹状部32の深さδ1 が内側凹状部の深さδ2 の1.2〜2.0倍である事を特徴とする気相成長装置用サセプタ。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの平面部を支持する円形座ぐり部を有する気相成長装置用サセプタにおいて、前記円形座ぐり部に同心する一つの円環状凸部を有し、前記円環状凸部の中心線が、前記座ぐり部半径の65〜75%の範囲に位置し、かつ前記円環状凸部の内側及び外側に断面凹状部が形成され、前記外側凹状部の深さδ1 が内側凹状部の深さδ2 の1.2〜2.0倍である事を特徴とする気相成長装置用サセプタ。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/31