半導体力学量センサ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：碓氷裕彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392248
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289876
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】半導体力学量センサを製造するとき、固定部および可動部が形成されるエッチング工程でそれぞれのエッチング剤が溝の周囲に浸入して破壊するのを防止し、生産性を高める。【解決手段】固定電極14〜17および可動電極13はシリコン材により形成されているから、シリコンウエハにより一度に複数個を形成する。ここで、第1のエッチング工程で、固定電極14〜17および可動電極13を独立させるための溝と該溝が周囲と連通するのを遮断する溝とを形成する。そして、シリコンウエハの他側面から第2のエッチング工程では、各半導体力学量センサを周辺部で仕切ることにより、エッチング剤が隣接する半導体力学量センサに浸入するのを防止する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、該絶縁基板上に設けられ、シリコン板をエッチング処理することにより互いに分離して形成された固定部および可動部とを備え、該固定部には固定電極を一体に形成し、前記可動部には、該固定電極と微小隙間を介して対向する可動電極と、外部からの加速度により該可動電極を固定電極に対して接近,離間させる質量部と、該質量部に梁を介して連結され、該質量部および可動電極を前記絶縁基板上で変位可能に支持する支持部とを一体に形成してなる加速度センサにおいて、前記絶縁基板上には、前記固定部および可動部を周囲から取囲む周辺部を形成したことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (4件)：

H01L 29/84 , B81B 3/00 , B81C 1/00 , G01P 15/125

FI (5件)：

H01L 29/84 Z , H01L 29/84 A , B81B 3/00 , B81C 1/00 , G01P 15/125

Fターム (24件)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112BA07 , 4M112CA22 , 4M112CA23 , 4M112CA24 , 4M112CA26 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA05 , 4M112DA10 , 4M112DA11 , 4M112DA12 , 4M112DA13 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA04 , 4M112EA05 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112FA01 , 4M112FA20 , 4M112GA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-224277
特開平2-237166
特開平2-224277

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