特許
J-GLOBAL ID：200903079184227259
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342802
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175519
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】MOSコンデンサを形成しない発振防止用コンデンサを提供し、集積回路における素子数の及び素子領域の低減を目的としている。【構成】Nウェル1を含むP型シリコン基板2上に、該Nウェル1にN+ 領域4を、P型シリコン基板2上にP+ 領域5をそれぞれ埋込拡散により形成する。VDD入力されるパッド領域がN+ 領域4上に形成され、P型シリコン基板2の電位をGNDに保つためP+ 領域5がGND配線とコンタクトされる。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、上記半導体基板中に形成された反対導電型のウエルとからなり、上記半導体基板と上記ウエルとの間に形成されたPN接合をコンデンサとすることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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