特許

J-GLOBAL ID：200903079185167284

半導体薄膜の形成方法

発明者： 西元 智紀
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354122
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229213
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、プラズマCVD法で低コスト、高品質の半導体薄膜を形成する方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、周波数が50〜2000MHz、圧力が0.005〜0.5torrの範囲でプラズマCVD法により半導体薄膜を形成すこと、成膜室内に金属製メッシュを実質的にプラズマを閉じ込めるように配設すること、原料ガスの分解および基板表面上での堆積膜形成反応が促進され、高品質の半導体薄膜を高速で形成できること、等を特徴としている。

請求項（抜粋）：

成膜室に原料ガス及び高周波電力を導入し、プラズマを発生させて基体上に半導体薄膜を形成するプラズマCVD法による半導体薄膜の形成方法において、前記高周波電力の周波数が50〜2000MHzの範囲にあり、前記高周波電力の投入電力密度が0.001〜1.0w/cm3の範囲にあり、かつ、その形成圧力が0.005〜0.5torrの範囲にあり、かつ、基体温度が150〜500°Cの範囲にあり、かつ、基体と原料ガス導入部の間に、実質的にプラズマを閉じ込めるように、金属製メッシュを配設して半導体薄膜を形成することを特徴とする半導体薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 31/04 V ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-072126
  
• 特開昭63-239813
  
• 特開昭59-119828