特許

J-GLOBAL ID：200903079186154909

半導体装置の製造方法

発明者： 東 寛保
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344934
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176714
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 同一層の転送電極間の距離を狭く加工できるようにして、単層の転送電極を可能ならしめ、受光用開口部の段差を低くしてスミア特性を改善する。【構成】 半導体基板101上に電荷転送領域102を形成し、基板上にゲート酸化膜103、ノンドープのポリシリコン膜104およびシリコン窒化膜105を形成する[(a)図]。その上にフォトレジスト膜106を形成しこれをマスクにボロンをイオン注入する[(b)図]。フォトレジスト膜106をマスクにシリコン窒化膜105をエッチングするとともに所定の距離だけサイドエッチして所定の幅のノンドープポリシリコン露出領域107を形成する[(c)図]。この状態でヒドラジンで処理してノンドープのポリシリコン膜をエッチングして各転送電極を狭い間隙を隔てて分離する。この転送電極を固体撮像素子の垂直転送レジスタの転送電荷として用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜、多結晶シリコン膜およびマスク材料層を順次形成する工程と、前記マスク材料層上に選択的にイオン注入マスク材を形成する工程と、該イオン注入マスク材をマスクにしてボロンをイオン注入する工程と、前記イオン注入マスク材をマスクにして前記マスク材料層をエッチング除去するとともに前記イオン注入マスク材直下の前記マスク材料層を所定距離サイドエッチしてボロンが添加された多結晶シリコン膜の表面およびボロンが添加されていない多結晶シリコン膜の一部の表面を露出させる工程と、ヒドラジンを用いて露出されたボロンが添加されていない多結晶シリコン膜を選択的に除去して前記多結晶シリコン膜を複数の転送電極に分割する工程と、前記マスク材料層をエッチング除去する工程と、を含む半導体装置の製造方法。