特許
J-GLOBAL ID:200903079197008440

固体撮像素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野田 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-034495
公開番号(公開出願番号):特開2006-222751
出願日: 2005年02月10日
公開日(公表日): 2006年08月24日
要約:
【課題】チップサイズを大きくすることなくCMOS型固体撮像素子に適用できて、受光部からOPB部への電荷の流れ込みを十分に防止すること。【解決手段】CMOS型固体撮像素子の受光部とOPB部の間にある不問領域に配列される画素の転送ゲート46及びリセットゲート45に所定電圧を常時印加することにより、フォトダイオード部42とフローティングディフュージョン部43と電源線部44をチャネルにより電気的に接続して逆バイアスされたN型層を実質的に形成し、この逆バイアスされたN型層により受光部画素からOPB画素に流れ込もうとする電荷を捕らえて電源線部44に放電する。これにより、チップサイズを大きくすることなくCMOS型固体撮像素子に適用できて、受光部からOPB部への電荷の流れ込みを十分に防止することができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成され、入射光を光電変換して電荷を蓄積する画素を配列する受光部と、 前記半導体基板上に形成され、遮光された画素を配列する遮光部と、 前記半導体基板上の前記受光部と遮光部の間に形成され、ダミー画素を配列する不問領域部とを備え、 前記遮光部の画素を形成する光電変換部、この光電変換部により光電変換された電荷を読み出す読み出し部及び前記画素の動作電源を供給する電源線部とを電気的に接続するチャネル形成手段を具備することを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件):
H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (4件):
H04N5/335 Z ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 S ,  H01L27/14 A
Fターム (21件):
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  5C024CX12 ,  5C024GX03 ,  5C024GY39 ,  5C024GZ01 ,  5C024GZ38 ,  5C024GZ39 ,  5C024GZ40 ,  5C024HX01 ,  5C024HX02 ,  5C024HX17 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5C024JX21
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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