特許
J-GLOBAL ID：200903079200020058

極短紫外光用マスクパターンの補正方法

発明者：
菅原 稔

菅原 稔 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050893
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257810
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 極短紫外光に対応した反射型マスクであっても、半導体装置の性能向上(極小微細化への適切な対応)に寄与すべく、ウエハ上への露光後に所望のパターン形状を得られるようにする。【解決手段】 極短紫外光を反射するマスクブランクス12と、その一面を所定パターンで覆う吸収膜14と具備した露光用マスク10を用い、極短紫外光を反射させて被露光体上への露光を行う場合に、所望形状のパターンを前記被露光体上転写像にて得るための極短紫外光用マスクパターンの補正方法であって、露光用マスク10への斜め入射光の射影ベクトルと、前記吸収膜14が形成するパターンにおける任意の一辺とがなす角度を抽出し、抽出した角度を前記吸収膜14が形成するパターンについての補正量に反映させるようにする。
請求項（抜粋）：
極短紫外光を反射するマスクブランクスと、前記極短紫外光を吸収する作用を有し前記マスクブランクスの光反射面側を所定パターンで覆う吸収膜とを具備した露光用マスクを用い、当該露光用マスクに対して斜め入射する極短紫外光を前記吸収膜が形成するパターンに応じて選択的に反射させて被露光体上への露光を行うのにあたり、所望形状のパターンを前記被露光体上における転写像にて得るための極短紫外光用マスクパターンの補正方法であって、前記露光用マスクへの斜め入射光を当該露光用マスク上に射影して得られる射影ベクトルと、前記吸収膜が形成するパターンにおける任意の一辺または前記吸収膜が形成するパターン群から構成される任意のマクロ領域の一辺とがなす角度を抽出し、抽出した角度を前記吸収膜が形成するパターンについての補正量に反映させることを特徴とする極短紫外光用マスクパターンの補正方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521
FI (5件)：
G03F 1/16 A ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 517
Fターム (8件)：
2H095BA10 ,  2H097CA15 ,  2H097LA10 ,  5F046AA25 ,  5F046BA05 ,  5F046CB17 ,  5F046GA03 ,  5F046GD10
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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