特許
J-GLOBAL ID：200903079211157284

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
横井 哲哉

横井 哲哉 について

, 
池水 守彦

池水 守彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-070211
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267359
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 インターポーザである絶縁フィルム基板の配線にチップの電極面に形成したバンプを使用して配線表面に接触させる方法により高い接続性を得ることができ、また、チップの接続電極に形成するバンプを絶縁フィルム基板に形成した両面又は3層以上の配線を貫通させて配線層相互の接続をも同時に達成させる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 インターポーザである絶縁フィルム基板5の配線6にチップ1の電極面に形成した鋭い形状のバンプ又は切り込み加工を施したバンプ15を使用して配線表面に形成された酸化皮膜や汚れを破りながら接触させる。材料の新生面を出すことにより高い接続性を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子主面に設けられた接続電極に突起状のバンプ電極を接合する工程と、前記バンプ電極の先端を鋭くする加工もしくは切り込み加工をする工程と、金属箔をパターニングして得られた配線を支持する絶縁フィルム基板から構成されたインターポーザを形成する工程と、前記バンプ電極を前記配線を構成するリードにフリップチップ接続する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (4件)：
H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 J
Fターム (3件)：
5F044NN03 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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