酸化物素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-301813
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162684
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 MgO(001)単結晶面上にSrTiO3層を形成する基板構造において、SrTiO3層がMgO(001)面上にキューブオンキューブの配向関係で成長し得る薄膜形成の温度と圧力の条件を与えることにある。【構成】ハッチの入った温度-圧力領域(11)ではキューブオンキューブの配向が得られ、領域(12)では(110)配向が主として、領域(13)では(111)配向が主として成長する。【効果】酸化物超電導体、強誘電体などの薄膜成長に好適で、かつ価格的に安価で大面積のペロブスカイト構造基板を与える。

請求項（抜粋）：

板状の酸化物マグネシウム(MgO)単結晶上に単結晶からなるSrTiO3層が形成された基板上に、酸化物層からなるソース電極、ドレイン電極および上記ソース、ドレイン電極間の上記基板上に絶縁膜を介してゲート電極を形成することを特徴とする酸化物素子。

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