特許
J-GLOBAL ID：200903079217539820
パタン形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-150928
公開番号（公開出願番号）：特開平11-109627
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 ArFエキシマレーザの波長193nmを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。【解決手段】 γ-またはδ-ヒドロキシカルボン酸構造の一部または全てが、酸触媒反応によりγ-またはδ-ラクトン構造に変わる反応を用いる。【効果】 水性アルカリ現像で膨潤のない高解像性のネガ型のパタンが形成される。
請求項（抜粋）：
基体上にカルボン酸構造を含む感光性組成物からなる塗膜を形成する工程と、前記塗膜に所定のパタンの活性化学線を照射して、前記活性放射線の照射部分のカルボン酸構造をγ-ラクトン構造またはδ-ラクトン構造に変化させる工程とを有することを特徴とするパタン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/038 505
, H01L 21/027
G03F 7/038 505
, H01L 21/30 502 R
