半導体レーザの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204687
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053601
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】リーク電流が少なくなるような構造を2回にわたる有機金属気相成長法により得る半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】低閾値動作する単一横モード半導体レーザの製造方法において、p型InP基板1上にアンドープのInPバッファ層2を形成する工程と、該InPバッファ層2上にp型InPクラッド層3を形成する工程と、該InPクラッド層3上にp型GaInAsPエッチングストップ層4を形成する工程と、該GaInAsPエッチングストップ層4上にp型InP電流ブロック層5、n型のInP電流ブロック層6及びp型InP電流ブロック層7からなる3層の電流ブロック層を形成する工程と、選択エッチングにより前記GaInAsPエッチングストップ層4に達するストライプ状の溝を形成する工程と、該ストライプ状の溝の底に露出する前記GaInAsPエッチングストップ層4を選択的にエッチングする工程と、そのストライプ状の溝を有する積層基板上に有機金属気相成長法により、ダブルヘテロ構造を形成する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

低閾値動作する単一横モード半導体レーザの製造方法において、(a)第1導電型のInP基板上にアンドープのInPバッファ層を形成する工程と、(b)該InPバッファ層上に第1導電型のInPクラッド層を形成する工程と、(c)該InPクラッド層上に第1導電型のエッチングストップ層を形成する工程と、(d)該GaInAsPエッチングストップ層上に第1導電型のInP層、第2導電型のInP層及び第1導電型のInP層からなる3層の電流ブロック層を形成する工程と、(e)選択エッチングにより前記GaInAsPエッチングストップ層に達するストライプ状の溝を形成する工程と、(f)該ストライプ状の溝の底に露出する前記GaInAsPエッチングストップ層を選択的にエッチングする工程と、(g)そのストライプ状の溝を有する積層基板上に有機金属気相成長法により、ダブルヘテロ構造を形成する工程とを施すことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

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