特許
J-GLOBAL ID：200903079221861907
半導体メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068318
公開番号（公開出願番号）：特開平7-282583
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 カラムアドレスの異なるデータを、連続して高速に読み出し書き換えするメモリを提供する。【構成】 DRAMにおいて、各データ線対DLi、BLiを2つの入出力線対I/Oa、I/Obのいずれにも、スイッチの制御により電気的に接続できる構成とする。カラムアドレスの異なるデータを連続してアクセスするページモードやバーストモードにおいて、上記2つの入出力線を交互に使う。【効果】 ページモードやバーストモードにおいて、ひとつのセンスアンプSAiを入出力線I/Oaに接続しデータの入出力を行っているときに、次のセンスアンプSAjをI/Obに接続してデータ入出力を開始することができる。したがって、連続データを高速に入出力できる。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルをデータ線とワード線との交点にマトリックス状に配置して構成した半導体メモリにおいて、上記メモリセルの記憶情報を検知するためのセンスアンプが複数個設けられ、該センスアンプは、外部装置に情報を転送したり外部装置からの情報を書き込んだりするための入出力線をスイッチを介して共有し、該共有入出力線は複数であって、上記スイッチの制御により、上記センスアンプは上記複数の入出力線のうち少なくとも2つのいずれにも電気的に接続できる構成となっていることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 11/409
, G11C 11/401
G11C 11/34 353 A
, G11C 11/34 362 C
