特許

J-GLOBAL ID：200903079223095209

半導体装置及びその製造方法

発明者： 白井 浩司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069070
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249636
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 コレクタ電極引出し領域の縦方向寄生抵抗を下げ、電流増幅率が高く、再現性良く制御される縦型PNPトランジスタ及びその製法を提供する。【構成】 半導体基板は、その主面からのイオン注入により形成され、主面からの深さが所定の深さD+dである中央部分の領域と主面からの深さDがその中央部分の領域より浅い周辺部分の領域とを備えた埋込みコレクタ領域20と、コレクタ領域の浅い周辺部分の領域に接続され、不純物拡散により形成されたコレクタ電極取出し領域21とを備えている。半導体基板表面に、イオン注入用マスクを形成し、その開口部に開口又は薄い部分と厚い部分を有するバッファ膜を形成し、そこに高加速度電圧により濃度分布のピークが半導体基板になるようにイオン注入を行うので、図のような形のコレクタ領域20が容易に形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板主面からのイオン注入により形成され、前記半導体基板主面からの深さが所定の深さである中央部分の領域と前記半導体基板主面からの深さがその中央部分の領域より浅い周辺部分の領域とを備えた第1導電型埋込みコレクタ領域と、前記コレクタ領域の上に形成され、前記半導体基板主面に部分的に露出している第2導電型ベース領域と、前記ベース領域の上に形成され、前記半導体基板主面に部分的に露出している第1導電型エミッタ領域と、前記コレクタ領域の浅い周辺部分の領域に接続され、不純物拡散により形成されたコレクタ電極取出し領域とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/8228 ,  H01L 27/082

FI (5件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 W ,  H01L 27/08 101 C