特許

J-GLOBAL ID：200903079224576146

接着型SOI基板用支持基板

発明者： 宮嶋 基守
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221602
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062951
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、Si基板を接着させて接着型SOI基板を形成する接着型SOI基板用支持基板に関し、製造工程中に支持基板に研削加工を施しても、良好な面取り部が残されている接着型SOIウェーハ用支持基板を提供することを目的とする。【構成】SOI基板用のSi基板が接着される接着面と、接着面に対して裏側の裏側研削面と、周端部に形成された面取り部とを有し、面取り部は、接着面側に形成された表側傾斜部と、裏側研削面側に形成された裏側傾斜部と、表側傾斜部端と裏側傾斜部端を結んで断面円弧状に形成された円弧部とを有し、接着面又は裏側研削面を研削したときに面取り部の円弧部が残るように、面取り部が形成されているように構成する。

請求項（抜粋）：

SOI基板用のSi基板が接着される接着面と、前記接着面に対して裏側の裏側研削面と、周端部に形成された面取り部とを有し、前記面取り部は、前記接着面側に形成された表側傾斜部と、前記裏側研削面側に形成された裏側傾斜部と、前記表側傾斜部端と前記裏側傾斜部端を結んで断面円弧状に形成された円弧部とを有し、前記接着面又は前記裏側研削面を研削したときに前記面取り部の前記円弧部が残るように、前記面取り部が形成されていることを特徴とする接着型SOI基板用支持基板。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 301