特許

J-GLOBAL ID：200903079226044893

半導体装置およびその製造方法

発明者： 林 正美
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-106589
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303826
出願日： 2002年04月09日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 ベース寄生抵抗の増加を抑えバイポーラトランジスタの高速化を達成する。【解決手段】 第1の単結晶半導体層上に選択的に開口部を有する絶縁層が単結晶半導体基板上に形成され、開口の全周囲から開口の上方へ水平方向に伸びたせり出し部分を有するように第1の多結晶半導体層が絶縁膜上に設けられ、開口内の第1の単結晶半導体層上に形成された第2の単結晶半導体層及び第1の多結晶半導体層下面に形成された第2の多結晶半導体層と、第2の単結晶半導体層上に設けられた第3の単結晶半導体層と第2の多結晶半導体層下面に第3の多結晶半導体層とを有し、第3の多結晶半導体層と第3の単結晶半導体層が開口内で接続されている半導体装置において、第1の多結晶半導体層の絶縁膜に接する部分に導電型の不純物が偏析し、かつ第1の多結晶半導体層と第2の多結晶半導体層の界面に導電型不純物を偏析させる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の単結晶半導体基板に選択的に第2導電型の第1の単結晶半導体層が形成され、少なくとも前記第1の単結晶半導体層上に選択的に開口部を有する絶縁層が単結晶半導体基板上に形成され、前記開口の全周囲から前記開口の上方へ水平方向に伸びたせり出し部分を有するように第2導電型の第1の多結晶半導体層が前記絶縁膜上に設けられ、前記開口内の前記第1の単結晶半導体層上に形成された第2の単結晶半導体層及び前記第1の多結晶半導体層下面に形成された第2の多結晶半導体層と、前記第2の単結晶半導体層上に設けられた第3の単結晶半導体層と前記第2の多結晶半導体層下面に第3の多結晶半導体層とを有し、前記第3の多結晶半導体層と第3の単結晶半導体層が前記開口内で接続されている半導体装置において、第2導電型の第1の多結晶半導体層の絶縁膜に接する部分に第2導電型の不純物が偏析し、かつ第1の多結晶半導体層と第2の多結晶半導体層の界面に第2導電型不純物が偏析していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/732

Fターム (18件)：

5F003BA96 ,  5F003BB01 ,  5F003BB04 ,  5F003BB06 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BC01 ,  5F003BC08 ,  5F003BE01 ,  5F003BE07 ,  5F003BH07 ,  5F003BM01 ,  5F003BP21 ,  5F003BP31 ,  5F003BP32 ,  5F003BP33 ,  5F003BP41 ,  5F003BP48