半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232092
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074472
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】強誘電体のヒステリシス特性が劣化しにくく、かつ、高湿度下における信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】層間膜38、アルミ配線40を介して、強誘電体コンデンサCfを覆うようにシリコン窒化膜により構成されたパッシベーション膜42が形成されている。パッシベーション膜42の成膜ガス中の水素を含むガスであるSiH4およびNH3の容量パーセントを低く設定している。また、パッシベーション膜42に含まれる水素濃度が低くなるよう設定している。このため、成膜プロセスにおける水素の発生量や、成膜後におけるパッシベーション膜42中の水素が少なく、水素に起因する強誘電体コンデンサCfのヒステリシス特性の劣化がある程度防止される。また、緻密なシリコン窒化膜により構成されたパッシベーション膜16により、外部からの水分の侵入を防止することができる。

請求項（抜粋）：

強誘電体層と、強誘電体層の近傍に配置された絶縁層とを備えた半導体装置において、絶縁層を、シリコン・水素結合を有するシリコン窒化物を含む絶縁性材料を用いて構成するとともに、当該絶縁層のシリコン・水素結合を構成する水素の濃度を、実質的に1.0×1022個/cm3以下としたこと、を特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/22 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/22 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (5件)

容量素子、半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-169387 出願人：松下電子工業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-304343 出願人：三洋電機株式会社
特開昭59-096736

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審査官引用 (5件)

容量素子、半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-169387 出願人：松下電子工業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-304343 出願人：三洋電機株式会社
特開昭59-096736

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