特許

J-GLOBAL ID：200903079230579874

Si-Ge薄膜の形成方法

発明者： 足利 欣哉 ,  大野 守史 ,  中村 稔之
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013465
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232042
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板を入れた反応炉内にSiH4 ガス及びGeH4 ガスを導入し、このシリコン基板を加熱しながらこの基板上にSi-Ge薄膜を形成する方法であって、従来に比べSi-Ge薄膜の表面モホロジ及び結晶性を改善でき、かつ、歪成長の臨界膜厚を増加させることができる方法を提供すること。【構成】 反応炉内にSiH4 ガス及びGeH4 ガスと共に、B2 H6 ガスを、形成されるSi-Ge薄膜中のホウ素濃度が該形成される薄膜の歪成長の臨界膜厚を所望の値とし得る濃度に少なくともなるように、導入する。そして、これらガスの混合ガス雰囲気においてシリコン基板を加熱する。

請求項（抜粋）：

反応炉内にシリコン(Si)系下地を入れ、該反応炉内にシリコンを含むIV族水素系ガスとゲルマニウムを含むIV族水素系ガスを導入し、かつ、前記下地に加熱処理を行ないながら、前記下地上にSi-Ge薄膜を形成する方法において、形成されるSi-Ge薄膜中に該薄膜とシリコン系下地との格子不整合を緩和するためのホウ素を添加するために、反応炉内に、シリコンを含むIV族水素系ガス及びゲルマニウムを含むIV族水素系ガスと共に、ホウ素を含む水素系ガスを導入することを特徴とするSi-Ge薄膜の形成方法。