特許

J-GLOBAL ID：200903079234677641

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法

発明者： 嶋津 正 ,  石井 伸也 ,  井上 雅彦
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (4件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-185526
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031621
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】複雑な構成にすることなく、しかも、基板11の大きさに拘らず表面の膜質を均一に保持することができるプラズマ成膜装置とする。【解決手段】コイル状の高周波アンテナ5に給電を行うことにより一方向で均一となるプラズマ8を発生させるプラズマ発生部3を成膜室2の上部に備え、プラズマ発生部3の下方でプラズマが均一となる方向に交差する方向で基板11をコンベア12により移動させ、プラズマ8が基板11上で全面にわたり均一な状態とし、複雑な構成にすることなく、しかも、基板11の大きさに拘らず表面の膜質を均一に保持することができるプラズマ成膜装置とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ処理装置において、処理室内に一方向で均一となるプラズマを発生させる高周波アンテナ部材を処理室の外部に備える一方、プラズマが均一となる方向に交差する方向に基板を相対的に移動させる移動手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/507 ,  C23C16/54

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/507 ,  C23C16/54

Fターム (29件)：

4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030FA04 ,  4K030GA12 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB02 ,  5F045DP22 ,  5F045DP23 ,  5F045EB02 ,  5F045EF02 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19 ,  5F045EK17 ,  5F045EK22 ,  5F045EK27 ,  5F045HA18 ,  5F045HA23