特許
J-GLOBAL ID：200903079236269699
バンプ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265005
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122565
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】Auや半田を用いた場合の欠点を解消すべくAlワイヤを採用し、且つワイヤボンダの機械的な動作で均一にバンプ電極を形成できるようにする。【構成】高純度AlにMgを0.5〜3.0wt%含有せしめて細線状に作製したAlワイヤWをキャピラリ3に挿通せしめ、その先端を、Ar-10%H2 ガスの還元性雰囲気下でアーク放電により加熱溶融せしめてボールW’を作製する。このボールW’を半導体チップ1のAlパッド2上面に付着させ、その状態でキャピラリ3を引き上げれば、ボールW’の根本部所定箇所でワイヤWが切断し、その上面に所定高さhのネックa1が残った状態で、パッド2上面にバンプ電極aが形成される。
請求項（抜粋）：
Al又はAl合金からなる被接合層の上面にバンプ電極を形成する方法であって、前記バンプ電極を、高純度AlにMgを0.5〜3.0wt%含有せしめて細線状に作製したワイヤを用いてボールボンディング法により形成することを特徴とするバンプ形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 D
