特許
J-GLOBAL ID：200903079236931162
プラズマエッチング用電極
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181449
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026437
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 シリコンウエハ面内のエッチング速度の均一化を図ることによって、シリコンウエハのプラズマエッチング加工時の歩留を向上させる。【解決手段】 厚さ方向にガス吹出し穴7が設けられているプラズマエッチング用電極6において、電極の中心から被処理材であるシリコンウエハ4の半径rsの70〜95%に相当する半径rによって規定される円の外側にあるガス吹出し穴として、穴径が、該円の内側にあるガス吹出し穴の穴径に対して、1.2〜2倍であるものを有してなるプラズマエッチング用電極。
請求項（抜粋）：
厚さ方向にガス吹出し穴が設けられているプラズマエッチング用電極において、電極の中心から被処理材であるシリコンウエハの半径rsの70〜95%に相当する半径rによって規定される円の外側にあるガス吹出し穴として、穴径が、該円の内側にあるガス吹出し穴の穴径に対して、1.2〜2倍であるものを有してなるプラズマエッチング用電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
