特許

J-GLOBAL ID：200903079239915311

半導体装置作製方法

発明者： 葉 文昌
出願人/特許権者： 葉 文昌
代理人 (1件)： 阮 恵美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-116842
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273015
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】プラスチック或いはガラス基板上の薄膜トランジスタにおいて、基板全体を加熱することなく半導体装置のみを加熱することで熱耐性のない基板の使用を可能にし、更には加熱炉アニール工程によって生じる基板の形状変形や、基板からの不純物の拡散をなくし、微細加工精度、そして薄膜トランジスタの特性及び信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】本発明では透明基板と多結晶シリコン膜間にあるアンダーコート膜をレーザ光に対して光吸収性のものとする。これにより基板加熱なしでもレーザアニールの際にアンダーコート膜はレーザ光を吸収して高温になり、それによりシリコン膜からの熱流出は抑えられ、シリコン膜が高温に保てる時間は従来と比べて格段と長くなり、アニールの効力が顕著に現れるようになる。

請求項（抜粋）：

アンダーコート膜を間に挟んだ透明基板上のトップゲート型多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法において、レーザアニールする際にアンダーコート膜が加熱されるようアンダーコート膜を前記レーザ光に対して光吸収性にすることを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタ製造方法

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (47件)：

5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052EA11 ,  5F052EA12 ,  5F052HA01 ,  5F052HA07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP13 ,  5F110PP26 ,  5F110PP27 ,  5F110PP29 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25