特許

J-GLOBAL ID：200903079242914300

窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法

発明者： 妹尾 雅之 ,  山田 孝夫 ,  板東 完治 ,  福田 俊男
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社 ,  株式会社プラズマシステム
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-149960
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017803
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 第1にエッチング面のエッチング残渣、エッチピット等を無くし平滑な面を得、第2に、エッチング結果が常時安定し、第3に、複数の窒化ガリウム系化合物半導体に対しても同時に同一結果でエッチングできる窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法を提供する。【構成】 エッチング室1内の電極(12)上に設置した窒化ガリウム系化合物半導体(101)を塩素ガスとケイ素含有ガスとの2種類のプラズマ発生ガスからのプラズマガスでエッチングするか、またはエッチング室1内の電極上に、ケイ素片(102)と窒化ガリウム系化合物半導体(101)とを設置し、塩素ガスのプラズマガスでエッチングする。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体を塩素ガスとケイ素含有ガスとの2種類のガスを含むプラズマ発生ガスから発生されたプラズマガスでエッチングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00