特許
J-GLOBAL ID：200903079243015171

光電変換素子、光電変換素子の製造方法および電子機器

発明者：
宮澤 貴士

宮澤 貴士 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-034548
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214057
出願日： 2006年02月10日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】高い光電変換効率が得られる光電変換素子、かかる光電変換素子を素子毎のバラツキを抑えつつ、簡易な工程で製造し得る光電変換素子の製造方法、および、かかる光電変換素子を有し、信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】光電変換素子10は、第1の電極30が設けられた第1の基板20と、第2の電極60が設けられた第2の基板70とを、第1の電極30と第2の電極60とが対向するように配置し、これらの間に、第1の電極30側に光電変換層40と、第2の電極60側に電解質層50とを設け、これらの外周部を封止部80により封止してなるものである。光電変換層40は、光を吸収してキャリアを発生させる光吸収体を少なくとも1つ有し、一端部が第1の電極30の内面に結合したポリマー分子(ポリマー)で構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、 第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた光電変換層と、を有し、 前記光電変換層は、ポリマーを含み、 前記ポリマーは、光を吸収して少なくとも1種類のキャリアを発生させる光吸収体を少なくとも1つ有し、 前記ポリマーの一端部は、前記第1の電極の前記第2の電極側の面に結合していることを特徴とする光電変換素子。
IPC (3件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  C08F 20/36
FI (3件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z ,  C08F20/36
Fターム (27件)：
4J100AL08P ,  4J100BA11P ,  4J100BA34P ,  4J100BC53P ,  4J100BD11P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100JA32 ,  4J100JA43 ,  5F051AA14 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS09 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032CC11 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032HH10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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