特許

J-GLOBAL ID：200903079245067152

半導体発光装置とこれを製造するための高圧原料容器及び半導体発光装置の製造方法

発明者： 船水 将久 ,  泉谷 敏英 ,  大塚 一昭 ,  吉田 哲朗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224238
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069668
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、埋込み層などの半導体層におけるAl不純物濃度を抑制することにより、再成長による良好なpn接合を形成でき、もって、低しきい値特性、最大発振温度及び発光特性の向上を図る。【解決手段】 Al元素を含まない III-V族化合物半導体から形成され、p型半導体層とn型半導体層とのpn接合を有する埋込み型の半導体発光装置において、p型半導体層のp型導電型を形成する不純物がZnであり、かつpn接合部の近傍におけるp型半導体層のAl不純物濃度が1×1018cm-3以下であり、pn接合部の近傍のO2 不純物濃度が1×1018cm-3以下である半導体発光装置とこれを製造するための高圧原料容器及び半導体発光装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

Al元素を含まない III-V族化合物半導体から形成され、p型半導体層とn型半導体層とのpn接合を有する埋込み型の半導体発光装置において、前記p型半導体層のp型導電型を形成する不純物がZnであり、かつ前記pn接合部の近傍における前記p型半導体層のAl不純物濃度が1×1018cm-3以下であり、前記pn接合部の近傍のO2 不純物濃度が1×1018cm-3以下であることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C