特許

J-GLOBAL ID：200903079249945707

平形パワー半導体モジュール

発明者： 高野 哲美
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045518
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243881
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】半導体モジュールの組立工程などに侵入する塵埃などの微小な異物がパワー半導体チップの耐電圧絶縁層の沿面に付着して絶縁耐力が低下するのを防止できるようにチップ固定枠を改良する。【解決手段】複数個のIGBTチップ(パワー半導体チップ)1をパッケージに収容した平形パワー半導体モジュールであって、各チップ組ごとに半導体チップ1,およびエミッタ,コレクタの端子板2,3を耐熱絶縁物のチップ固定枠7に保持した上で、パッケージ内に組み込んだ組立構造になるものにおいて、チップ固定枠7を弾性材,ないし熱収縮材を用いた柔構造となし、IGBTチップ1を保持した状態でチップのエッジ部周域に形成した耐電圧絶縁層1bの沿面をチップ固定枠の一部で密着状態に被覆し、組立工程で絶縁層の沿面に塵埃などの異物が付着するのを防止して絶縁性能の向上化を図る。

請求項（抜粋）：

複数個のパワー半導体チップを並置配列して単一のパッケージに収容した平形パワー半導体モジュールであって、各チップ組ごとに半導体チップ,および該半導体チップの上下表面電極に重ね合わせた端子板を耐熱絶縁物のチップ固定枠に保持した上で、パッケージの上下電極板間に挟持した組立構造になるものにおいて、前記のチップ固定枠に半導体チップを保持した状態でチップのエッジ部周域に形成した耐電圧絶縁層の沿面をチップ固定枠の一部で密着被覆するようにしたことを特徴とする平形パワー半導体モジュール。

Fターム (10件)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA24 ,  4M109CA26 ,  4M109DA10 ,  4M109DB04 ,  4M109EC07 ,  4M109EE01 ,  4M109EE03 ,  4M109GA02