特許

J-GLOBAL ID：200903079255068530

集積回路装置およびその製法

発明者： ヒュー・ラルフ・ブラウン ,  ケニス・レイモンド・カーター ,  チャ・ヒュク=ジン ,  リチャード・アンソニー・ディピエトロ ,  ジェームズ・ラプトン・ヘドリック ,  ジョン・パトリック・ハメル ,  ロバート・デニス・ミラー ,  ド・ユン・ヨーン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-281641
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135202
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 低い誘電率を示す改良された誘電体材料からなる改良された集積回路を提供する。【解決手段】 (i)基板と、(ii)基板上に置かれた金属回路線と(iii)回路線上に置かれた誘電材料で構成される集積回路装置。誘電材料は、有機ポリシリカと、ポリアミン酸エステルからなり、前駆物質重合体は末端基がアルコキシリルアルキル基であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

(a)基板と、(b)基板上に位置する金属回路線と、(c)回路線に隣接して位置し、有機ポリシリカと、(RO)m(R")nSiR'-を末端基とし、RおよびR'がそれぞれヒドロカルビル基、R"がヒドリドまたはヒドロカルビル基、mが1、2、または3、n+m=3であるポリアミン酸エステルとの反応生成物を含む誘電性組成物とを具備する、集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C08G 73/10 ,  C08G 77/455 ,  C09D183/10 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 G ,  C08G 73/10 ,  C08G 77/455 ,  C09D183/10 ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低熱伝導率ポリイミドシロキサンフィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-199072   出願人：チッソ株式会社
• 特開平2-202950
  
• 特公昭55-005361