化合物半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033980
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232667
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】基板上に形成された積層半導体構造部を有する化合物半導体装置において、その複数の電極の導出を同一側から行うようにしたいわゆるプレーナ型構成として、集積回路化、外部接続の簡易化をはかる。【解決手段】化合物半導体基板1上に、複数の化合物半導体層が積層形成された積層半導体構造部7を有してなる化合物半導体装置において、その積層半導体構造部7の表面側に位置しない、かつ電極導出を要する電極導出半導体領域から上記表面側に高抵抗領域12と電極コンタクト用凹部13とを有してなる電極導出部を設ける。高抵抗領域12は、積層半導体構造部7の表面側から選択的に電極導出半導体領域に達し、この半導体領域の全厚さを横切ることのない深さに形成され、電極コンタクト用凹部13は、高抵抗領域12の面積内において、電極導出半導体領域に達し高抵抗領域12の深さより大なる深さを有し、底部に上記電極導出半導体領域を露出させた構成とし、この電極コンタクト用凹部13を通じて電極導出半導体領域に対してコンタクトされる電極を積層半導体構造部7の表面側から導出する構成とする。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に、複数の化合物半導体層が積層形成された積層半導体構造部を有してなる化合物半導体装置において、上記積層半導体構造部の表面側に位置しない、かつ電極導出を要する電極導出半導体領域から上記表面側に電極導出をなす電極導出部が設けられ、該電極導出部は、高抵抗領域と電極コンタクト用凹部とを有してなり、上記高抵抗領域は、上記積層半導体構造部の表面側から選択的に上記電極導出半導体領域に達し、該半導体領域の全厚さを横切ることのない深さに形成され、上記電極コンタクト用凹部は、上記高抵抗領域の面積内において、上記電極導出半導体領域に達し上記高抵抗領域の深さより大なる深さを有し、底部に上記電極導出半導体領域を露出させて形成され、該電極コンタクト用凹部を通じて上記電極導出半導体領域に対してコンタクトされる電極を上記積層半導体構造部の表面側から導出して成ることを特徴とする化合物半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開平3-008340
3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076513 出願人：豊田合成株式会社
特開平1-220882

全件表示

前のページに戻る