特許

J-GLOBAL ID：200903079264885001

半導体装置の製造方法

発明者： 橋本 圭市
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098043
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299376
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における金属の3層構造から成る電極部(配線など含む)の形成方法に関するもので、特に第2層の金属層(実施例ではTiN)を形成する際、ターゲット表面が反応ガス(実施例ではN2 )で化合されることを除去するとともに、スループットを向上させることを目的とするものである。【構成】 前記目的のため本発明は、第1の金属層(実施例ではTi)1を形成した後、同一チャンバー内で反応ガス(実施例ではN2 )の分圧を低く(反応ガスでターゲットが窒化されない程度)した上、基板に負のバイアスを与えて前記反応ガスの化合物としての第2の金属層(実施例ではTiN)2を形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体装置における電極部を少くとも3種の金属の積層構造とする際の形成方法として、(a)半導体基板上に第1の金属層を形成する工程、(b)続いて、前記第1の金属層形成と同一処理装置内にて、反応ガスを、前記処理装置のターゲットに該反応ガスによる化合物が生じない程度の低い分圧で供給し、かつ前記基板に負のバイアス電圧をかけることにより、前記反応ガスの化合物としての第2の金属層を前記第1の金属層の上に形成する工程、(c)前記第2の金属層の上に第3の金属層を形成する工程、以上の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205