特許
J-GLOBAL ID：200903079265808590
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095926
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274373
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【構成】第1の導電型のII-VI族化合物半導体単結晶基板の上に、厚み10原子層以下の、第2の導電型を示し、かつ、第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜(A)が成長され、pnヘテロ接合が形成され、さらに第2の導電型を示し、かつ、第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜(B)が成長されている半導体発光素子、及びこの酸化物半導体の膜(A)を、吸着されたときに基板の半導体と反応せずかつ安定な酸化物を生成可能な金属を基板上に化学吸着した後、酸化することによって形成するようにした半導体発光素子の製造方法。【効果】基板と膜との間に働く弾性歪みによる界面での不対結合の発生が防止され、界面準位密度の低いpnヘテロ接合を得ることができ、より発光効率の高い半導体発光素子を製造することが可能となる。
請求項（抜粋）：
第1の導電型のII-VI族化合物半導体単結晶基板の上に、厚み10原子層以下の第2の導電型を示し、かつ、第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜が成長されpnヘテロ接合が形成され、更にその上に第2の導電型を示し、かつ、第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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