特許

J-GLOBAL ID：200903079268317768

半導体装置の製造方法、および強誘電体キャパシタの製造方法

発明者： 朱 莎 ,  三原 智
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152943
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340761
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、強誘電体膜の残留分極を最大化し、また書き込みに要する電圧を最小化する。【解決手段】 強誘電体膜をスパッタリングにより形成する際に、形成された膜に対して酸化雰囲気中での熱処理のみを行なう場合には、ターゲットに印加される磁場を270Gauss以上に設定し、一方形成された膜に対して不活性雰囲気中での熱処理と酸化雰囲気中での熱処理を行なう場合には、ターゲットに印加される磁場を349Gauss以下に設定する。

請求項（抜粋）：

強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、基板上に下側電極を形成する工程と、前記下側電極上に強誘電体膜を堆積する工程と、前記強誘電体膜を酸化雰囲気中における単一の急速熱処理工程により熱処理し、結晶化する工程と、前記強誘電体膜上に上側電極を形成する工程とを含み、前記強誘電体膜を堆積する工程は、スパッタリングにより、ターゲット中心における磁場の強度を約270Gauss以上に設定して実行されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (13件)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 301 ,  H01B 3/12 303 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (11件)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/00 H ,  H01B 3/12 301 ,  H01B 3/12 303 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (51件)：

5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AD62 ,  5F001AG01 ,  5F001AG30 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F058BA11 ,  5F058BC01 ,  5F058BC03 ,  5F058BF11 ,  5F058BF12 ,  5F058BH01 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F083AD21 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA05 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F103AA08 ,  5F103BB14 ,  5F103BB22 ,  5F103DD27 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103LL14 ,  5F103PP03 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB15 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA01