半導体装置作製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-296263
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116236
出願日： 1995年10月19日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】平坦部とグレーティングを含むDFBレーザなどにおいて、平坦部、加工部を問わず良好なクリーニング状態を得られる半導体装置作製法である。【解決手段】半導体装置作製法は、V族元素を有する半導体層5上に半導体膜9、10を再成長する際の清浄化工程を含む。清浄化工程において、平坦部での欠陥の発生を防ぐため、再成長される下側の半導体層5を作製する時のAs/P供給比よりも大きな供給比でAsとP8を照射しながら表面を清浄化する。下地層、特に平坦領域に対応した表面のV族抜けを防ぎ、良好な界面を提供できる。

請求項（抜粋）：

V族元素を有する半導体層上に半導体膜を再成長する際の清浄化工程において、該再成長される下側の半導体層を作製する時のAs/P供給比よりも大きな供給比でAsとPを照射しながら表面を清浄化する工程を含むことを特徴とする半導体装置作製法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01S 3/18 , H01L 21/20 , H01L 21/203 M , H01L 21/205

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