透過電子顕微鏡用の試料作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168540
公開番号（公開出願番号）：特開平5-018873
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【目的】試料作製に伴うダメージ層のない透過電子顕微鏡観察用の試料を作製する。【構成】電子顕微鏡観察試料作製の際にGaAs/AlGaAs試料表面に形成されるイオンミリングのダメージ層3を、化学的なエッチングによって除去する。高分解能観測が可能となり、特にヘテロ界面の観察の信頼性が高くなる。

請求項（抜粋）：

GaAs/Al<SB>x </SB>Ga<SB>1 - x </SB>As(0<x≦1)ヘテロ構造を有する半導体層を、イオンミリングにより薄片化する工程と、該半導体層の表面を化学的にエッチングする工程を有することを特徴とする透過電子顕微鏡用の試料作製方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

前のページに戻る