特許
J-GLOBAL ID：200903079286859136
アクティブマトリクス液晶表示パネル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-092080
公開番号（公開出願番号）：特開平9-281522
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 走査線と薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル部となる半導体層を同一形状でパターニングする構造で、かつ遮光層を有するアクティブマトリクス液晶表示パネル(AMLCD)では、製造工数を削減した構成とすると、遮光層電位を画素書き込み時には高く、保持時には低くすることができる構造が得られない。【解決手段】 遮光層7を画素電極4と同層で形成された遮光補助電極8に接続し、遮光補助電極8をソース電極、TFTのドレイン電極6をドレイン電極、走査線1をゲート電極とする補助TFTを構成する。製造時のパターニング工程を削減する一方で、遮光層電位を画素書き込み時には高く、保持時には低くすることができる構造が得られる。
請求項（抜粋）：
互いに直交状態に交差された複数の走査線および信号線と、これら走査線と信号線の各交点の近傍に設けられて画素のスイッチング素子としての薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに光が入射することを防止する遮光層とを備えるアクティブマトリクス液晶表示パネルにおいて、前記走査線をゲート電極とし、前記信号線をドレイン電極とし、前記遮光層をソース電極とする補助の薄膜トランジスタが前記薄膜トランジスタと一体的に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示パネル。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1335 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, G02F 1/1335 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 619 B
