特許

J-GLOBAL ID：200903079290777535

低インダクタンスパワー半導体モジュール

発明者： ラインホルト バイエラー ,  トーマス シュトックマイアー
出願人/特許権者： アーベーベー マネージメント アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140776
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008397
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 超高出力に適し、かつ従来技術の問題を解決する、新規なパワー半導体モジュールを提供する。【構成】 本発明によるパワー半導体モジュール(1)の場合には、パワー半導体アセンブリ(2)を有する基板(8)は、ヒートシンク(3)の両側に嵌め合わされる。パワー半導体アセンブリ(2)は、ヒートシンク(3)に対して並列に伸びる接触積層(4)のスタックにより接触させられる。それにより超低インダクタンス構造が得られる。

請求項（抜粋）：

底部がヒートシンクに取り付けられた、少なくとも一つのパワー半導体アセンブリを備え、前記パワー半導体アセンブリは、前記ヒートシンクの両側に供給され、更に該パワー半導体アセンブリは、前記ヒートシンクに対して並列に伸長しかつ互いに積み重ねられた、導電性接触積層と相互に作用することを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/473

FI (2件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/46 Z