特許
J-GLOBAL ID：200903079291091858
積層型バリスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061275
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226116
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 低電圧化を図りながらバリスタ電圧のばらつきを回避でき、また内部電極の拡散を防止して耐パルス性を向上できるとともに、焼成温度を低くして製造コストを低減できる積層型バリスタを提供する。【構成】 半導体セラミクス層2と内部電極3とを交互に積層し、この積層体を一体焼結して焼結体4を形成し、該焼結体4の両端面4a,4bに上記内部電極3の一端縁3aを導出して積層型バリスタ1を構成する。また上記セラミクス層2をZnOを主成分とし、これに副成分として5mol %以下のBi,Mn,Co,Sb,Si,B,Pbのうち少なくとも1種類以上を含むセラミクス材料により構成する。そして、このセラミクス材料の平均粒径を7μm 未満とし、さらに上記セラミクス層の厚さを100 μm 未満とする。また、上記内部電極を、AgとPdとを重量比でAg:Pd=(1-X):X,0.05≦X≦0.5 の割合で含有してなる金属材料により構成する。
請求項（抜粋）：
半導体セラミクス層と内部電極とを交互に積層して積層体を形成し、該積層体の端面に上記内部電極の一端縁を導出してなり、電圧非直線抵抗体として機能する積層型バリスタにおいて、上記セラミクス層が、ZnOを主成分とし、これに副成分として5mol %以下のBi,Mn,Co,Sb,Si,B,Pbのうち少なくとも1種類以上を含み、かつ平均粒径7μm 未満のセラミクス材料からなり、さらに上記セラミクス層の厚さが100 μm 未満であることを特徴とする積層型バリスタ。
引用特許：
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